Полупроводниковые гетероструктуры в современной оптоэлектронике

Полупроводниковые гетероструктуры  в современной оптоэлектронике

Описание книги Полупроводниковые гетероструктуры в современной оптоэлектронике. Обсуждены проблемы практической реализации этих материалов, рассмотрены основы конструирования изопериодических систем, позволяющих прогнозировать свойства многокомпонентных твердых растворов и гетероструктур на их основе. Монография объединяет и обобщает результаты исследований и практического применения фосфида индия (InP) и гетероструктур на его основе – перспективных материалов и структур в современной оптоэлектронике. Значительное место отводится изготовлению и исследованию гетероструктур с ультратонкими слоями с применением новых эпитаксиальных процессов - газовой эпитаксии из металлоорганических соединений и молекулярно-пучковая эпитаксия, что привело к бурному развитию нанотехнологий и созданию совершенно новых наногетероструктур с квантовыми ямами, квантовыми точками и т.д. Рассматриваются достижения в области технологии получения монокристаллов InP, при этом особое внимание уделяется технологии эпитаксиального роста тонких слоев многокомпонентных твердых растворов GaInPAs изопериодичных с InP. Книга предназначена для научных работников, инженеров, аспирантов и техников соответствующих специальностей. Данные Полупроводниковые гетероструктуры в современной оптоэлектронике предоставил: anis2.

5 Commments

  1. А общаться на уроке с тремя-четырьмя учениками очень уж не хочется. Только вот делали ли выбор дети.

  2. Катя-маленькая зажала фуфайку обеими руками и не даёт распахнуть её. Плохо, что любовником Эльзы оказался полицейский.